ТУ 7013-052-00194530-96

Кристалл ТГС используется для производства чувствительных пироэлектрических элементов.

Техническая характеристика

• Температура фазового перехода для кристаллов ТГС (нулевая группа) не ниже 49 deg;С; пироэлектрический коэффициент при температуре 25 deg;С не менее 4,5·10^-4 кл/м2·град.
• Относительная диэлектрическая проницаемость вдоль полярной оси "В" при температуре 25 °С на частоте 1000 Гц при амплитуде измерительного поля 10³ в/м не менее 32; удельное электрическое сопротивление при температуре 42 deg;С в постоянном поле 5·10⁵ в/м не менее 1·10¹¹ Ом·см; значение коэрцитивного поля на частоте 50 Гц при температуре 25 deg;С не более 4·10⁴ в/м.
• Степень асимметрии петли диэлектрического гистерезиса не более 10 %.
• Продукт транспортируется в интервале температур от минус 40 до плюс 50 deg;С при предохранении от ударов и падений.

Продукт поставляется в виде кристаллов, масса одного кристалла не менее 800 г